Начальная цена
5 000 000 ₽
:
:
Тендер на выполнение составной части опытно-конструкторской работы «Разработка методик контроля параметров 4Н-SiC подложек и эпитаксиальных структур для изготовления радиационно-стойких высоковольтных транзисторов и диодов» (12-19/00)
Тендер на выполнение составной части опытно-конструкторской работы «Разработка методик контроля параметров 4Н-SiC подложек и эпитаксиальных структур для изготовления радиационно-стойких высоковольтных транзисторов и диодов» (12-19/00)
at
г. Санкт-Петербург,
Санкт-Петербург город
, Russia, RU
Санкт-Петербург город
Планирование и проведение научных исследований и разработок
Предмет тендера: Выполнение составной части опытно-конструкторской работы «Разработка методик контроля параметров 4Н-SiC подложек и эпитаксиальных структур для изготовления радиационно-стойких высоковольтных транзисторов и диодов» (12-19/00). Цена: 5000000 руб.