Тендер: Разработка конструкции и технологии изготовления эпитаксиальных пластин светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaN/GaN и мощных светодиодных кристаллов, для последующего использования данных кристаллов в светодиодных матрицах для систем белого света для исследований дизайна гетероструктур на тепловые характеристики
Завершён
Начальная цена
8 000 000 ₽
Место поставки
г. Санкт-Петербург
,
Санкт-Петербург город
Организатор закупки
Документация
Участие
Способ размещения
Закупки у единственного поставщика
Закупка у единственного поставщика (подрядчика, исполнителя) (до 01.07.18)
Ссылки на источники
- 223-ФЗ ЕИС 31401559123
Заказчик
Наименование
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук
ИНН
7802030940
КПП
780201001
Участники и контракты
Аналитика доступна только зарегистрированным пользователям. Пройдите бесплатную регистрацию, чтобы использовать все возможности сервиса
Похожие тендеры
| Наименование |
|
|---|
:
:
Тендер на разработку конструкции и технологии изготовления эпитаксиальных пластин светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaN/GaN и мощных светодиодных кристаллов, для последующего использования данных кристаллов в светодиодных матрицах для систем белого света для исследований дизайна гетероструктур на тепловые характеристики
Тендер на разработку конструкции и технологии изготовления эпитаксиальных пластин светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaN/GaN и мощных светодиодных кристаллов, для последующего использования данных кристаллов в светодиодных матрицах для систем белого света для исследований дизайна гетероструктур на тепловые характеристики at
г. Санкт-Петербург, Санкт-Петербург город, Russia, RU
Санкт-Петербург город
Лабораторное (кроме медицинского) и испытательное оборудование и материалы, обслуживание и монтаж
Предмет тендера: Разработка конструкции и технологии изготовления эпитаксиальных пластин светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaN/GaN и мощных светодиодных кристаллов, для последующего использования данных кристаллов в светодиодных матрицах для систем белого света для исследований дизайна гетероструктур на тепловые характеристики.
Цена: 8000000 руб.