Тендер: Разработка технологии получения гетероэпитаксиальных структур на основе AlGaN на подложках кремния диаметром до 150 мм для силовых и СВЧ-транзисторов и монолитных интегральных схем
Завершён
Документация
- 16.12.2019
- Протокол рассмотрения и оценки первых частей заявок на участие в открытом конкурсе в электронной форме от 10.12.2019 №ППИ1 (Печатная форма)
- 11.12.2019
- Протокол подведения итогов открытого конкурса в электронной форме от 10.12.2019 №ППИ1
- Электронный документ, полученный из внешней с ...
- Протокол рассмотрения и оценки первых частей заявок на участие в открытом конкурсе в электронной форме от 10.12.2019 №ПРОII1 (Печатная форма)
- Протокол рассмотрения и оценки первых частей заявок на участие в открытом конкурсе в электронной форме от 10.12.2019 №ПРОI1 (Печатная форма)
- 10.12.2019
- Протокол рассмотрения и оценки вторых частей заявок на участие в открытом конкурсе в электронной форме от 10.12.2019 №ПРОII1
- Протокол рассмотрения и оценки первых частей заявок на участие в открытом конкурсе в электронной форме от 05.12.2019 №ПРОI1
- Электронный документ, полученный из внешней с ...
- Электронный документ, полученный из внешней с ...
- 27.11.2019
- Печатная форма
- Разъяснения+Прорыв-150.doc
- 13.11.2019
- tender-0173100009519000217.doc 3 КБ
- Уведомление о соответствии контролируемой информации 10 КБ
- Печатная форма 23 КБ
- Конкурсная документация открытого конкурса в электронной форме от 13.11.2019 №0173100009519000217 52 КБ
- КД № 6_ОКР Прорыв-150.docx
Показать все документы (+6)
Требования и преимущества
Обеспечение заявки
650 000 ₽
Обеспечение контракта
104 000 000 ₽
Возможно Вас также заинтересуют:
Участники и контракты
Аналитика доступна только зарегистрированным пользователям. Пройдите бесплатную регистрацию, чтобы использовать все возможности сервиса
:
:
Тендер на разработку технологии получения гетероэпитаксиальных структур на основе AlGaN на подложках кремния диаметром до 150 мм для силовых и СВЧ-транзисторов и монолитных интегральных схем
Тендер на разработку технологии получения гетероэпитаксиальных структур на основе AlGaN на подложках кремния диаметром до 150 мм для силовых и СВЧ-транзисторов и монолитных интегральных схем at
г. Москва, Москва город, Russia, RU
Москва город
Неметаллические полезные ископаемые, минералы, горные породы
Предмет тендера: Разработка технологии получения гетероэпитаксиальных структур на основе AlGaN на подложках кремния диаметром до 150 мм для силовых и СВЧ-транзисторов и монолитных интегральных схем.
Цена: 130000000 руб.