Тендер: Измерение параметров внутренней конструкции силового SiC MOSFET и SBD
Приём заявок
Документация
Зарегистрируйтесь, чтобы получить доступ к документации
Участие
Способ размещения
Закупки малого объема
Процедура по закупке с выбором победителя
Ссылки на источники
Доступно после регистрации
Подача заявок (МСК)
06.11.2025 12:41 - 11.11.2025 13:00
Возможно Вас также заинтересуют:
Потенциальные участники и контракты
Аналитика доступна только зарегистрированным пользователям. Пройдите бесплатную регистрацию, чтобы использовать все возможности сервиса
Похожие тендеры
| Наименование |
|
|---|
:
:
Тендер на измерение параметров внутренней конструкции силового SiC MOSFET и SBD
Тендер на измерение параметров внутренней конструкции силового SiC MOSFET и SBD at
г. Москва, Москва город, Russia, RU
Москва город
Электротехнические работы в зданиях
Предмет тендера: Измерение параметров внутренней конструкции силового SiC MOSFET и SBD.
Цена: 5500000 руб.