Тендер: Выполнение ОКР «Разработка технологии нового поколения гетероэпитаксиальных структур AlGaN/GaN на подложке карбида кремния диаметром 76 и 100 мм для СВЧ транзисторов повышенной мощности и МИС на их основе», шифр «Ларец
Завершён
Документация
Участие
Способ размещения
Закупки у единственного поставщика
Закупка у единственного поставщика
Ссылки на источники
Заказчик
Наименование
МИНИСТЕРСТВО ПРОМЫШЛЕННОСТИ И ТОРГОВЛИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ИНН
7705596339
КПП
770301001
Участники и контракты
Аналитика доступна только зарегистрированным пользователям. Пройдите бесплатную регистрацию, чтобы использовать все возможности сервиса
Похожие тендеры
| Наименование |
|
|---|
:
:
Тендер на выполнение ОКР «Разработка технологии нового поколения гетероэпитаксиальных структур AlGaN/GaN на подложке карбида кремния диаметром 76 и 100 мм для СВЧ транзисторов повышенной мощности и МИС на их основе», шифр «Ларец
Тендер на выполнение ОКР «Разработка технологии нового поколения гетероэпитаксиальных структур AlGaN/GaN на подложке карбида кремния диаметром 76 и 100 мм для СВЧ транзисторов повышенной мощности и МИС на их основе», шифр «Ларец at
г. Москва, Москва город, Russia, RU
Москва город
Планирование и проведение научных исследований и разработок
Предмет тендера: Выполнение ОКР «Разработка технологии нового поколения гетероэпитаксиальных структур AlGaN/GaN на подложке карбида кремния диаметром 76 и 100 мм для СВЧ транзисторов повышенной мощности и МИС на их основе», шифр «Ларец.
Цена: 107250000 руб.