Тендер: Выполнение научно-исследовательской работы «Экспериментальное исследование разрабатываемой технологии выращивания методом хлоридно-гидридной эпитаксии гетероструктур GaN на низкодефектных подложках SiC политипа 4Н и 6Н диаметром 3, 4 и 6 дюймов
Завершён
Начальная цена
360 000 ₽
Место поставки
г. Санкт-Петербург
,
Санкт-Петербург город
Организатор закупки
Документация
Участие
Способ размещения
Закупки у единственного поставщика
Закупка у единственного поставщика (подрядчика, исполнителя) (до 01.07.18)
Ссылки на источники
- 223-ФЗ ЕИС 31502358127
Заказчик
Наименование
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ, МЕХАНИКИ И ОПТИКИ"
ИНН
7813045547
КПП
781301001
Участники и контракты
Аналитика доступна только зарегистрированным пользователям. Пройдите бесплатную регистрацию, чтобы использовать все возможности сервиса
Похожие тендеры
| Наименование |
|
|---|
:
:
Тендер на выполнение научно-исследовательской работы «Экспериментальное исследование разрабатываемой технологии выращивания методом хлоридно-гидридной эпитаксии гетероструктур GaN на низкодефектных подложках SiC политипа 4Н и 6Н диаметром 3,4 и 6 дюймов
Тендер на выполнение научно-исследовательской работы «Экспериментальное исследование разрабатываемой технологии выращивания методом хлоридно-гидридной эпитаксии гетероструктур GaN на низкодефектных подложках SiC политипа 4Н и 6Н диаметром 3,4 и 6 дюймов at
г. Санкт-Петербург, Санкт-Петербург город, Russia, RU
Санкт-Петербург город
Планирование и проведение научных исследований и разработок
Предмет тендера: Выполнение научно-исследовательской работы «Экспериментальное исследование разрабатываемой технологии выращивания методом хлоридно-гидридной эпитаксии гетероструктур GaN на низкодефектных подложках SiC политипа 4Н и 6Н диаметром 3,4 и 6 дюймов.
Цена: 360000 руб.