г. Москва
Начальная цена
5 500 000 ₽
:
:
Тендер на измерение параметров внутренней конструкции силового SiC MOSFET и SBD
Тендер на измерение параметров внутренней конструкции силового SiC MOSFET и SBD
at
г. Москва,
Москва город
, Russia, RU
Москва город
Электротехнические работы в зданиях
Предмет тендера: Измерение параметров внутренней конструкции силового SiC MOSFET и SBD. Цена: 5500000 руб.